文章摘要:相比于第三代半导体材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),氧化镓(Ga2O3)具有禁带宽度更大、击穿电场更强、吸收截止边更短、生长成本更低等优点。掺杂是一种高效优化材料物性特征的方法,可以拓宽Ga2O3在不同领域的应用范围。本文对近年来Ga2O3材料的稀土掺杂以及其他元素的掺杂进行了综述,着重分析了稀土掺杂Ga2O3的发光特性。最后,对Ga2O3的稀土离子掺杂和p型掺杂方向进行了展望。
文章关键词:材料,半导体材料,氧化镓,离子掺杂,发光特性,电导率,
项目基金:国家自然科学基金(61974158,61306004),江苏省自然科学基金(BK20191456),江苏省“十三五”重点学科(20168765),江苏省研究生科研与实践创新(KYCX19_2017),电工材料 网址: http://dgcl.400nongye.com/lunwen/itemid-105961.shtml
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